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产品说明:分立半导体模块 SiC 1200V 80mO MOSFET 和 10A SBD SOT-227
封装:SOT-227-4产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7
封装:TO263-7产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7
封装:TO263-7产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7
封装:TO263-7产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7
封装:TO263-7产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7
封装:TO263-7产品说明:采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET
封装:TO-247-4产品说明:集成 CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200V 模块
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 25A 底座安装
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 145A(Tj) 20mW 底座安装 模块
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 底座安装 AG-EASY1B
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 底座安装 AG-EASY1B
封装:MODULE产品说明:通孔 N 通道 650 V 26A(Tc) 96W(Tc) PG-TO247-3-41
封装:TO-247-3产品说明:采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET
封装:TO-247-3产品说明:TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET
封装:TO-247PLUS-4-HCC产品说明:TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET
封装:TO-247PLUS-4-HCC电话咨询:86-755-83294757
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