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嵌入式和网络处理器

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GCMS080B120S1-E1

产品说明:分立半导体模块 SiC 1200V 80mO MOSFET 和 10A SBD SOT-227

封装:SOT-227-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R050M2H

产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

封装:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R040M2H

产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

封装:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R020M2H

产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

封装:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R015M2H

产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

封装:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R007M2H

产品说明:650V 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET PG-TO263-7

封装:TO263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R007M1H

产品说明:采用TO247-4封装的1200V 7mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF33MR12W1M1HB11BPSA1

产品说明:集成 CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200V 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 25A 底座安装

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF6MR12W2M1HB11BPSA1

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 145A(Tj) 20mW 底座安装 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF17MR12W1M1HB70BPSA1

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 底座安装 AG-EASY1B

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF17MR12W1M1HB11BPSA1

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 底座安装 AG-EASY1B

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R072M1HXKSA1

产品说明:通孔 N 通道 650 V 26A(Tc) 96W(Tc) PG-TO247-3-41

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R014M1H

产品说明:采用TO247-3封装的1200V 14mΩ CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R075M1H

产品说明:TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET

封装:TO-247PLUS-4-HCC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMYH200R012M1H

产品说明:TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ 2000 V SiC沟槽MOSFET

封装:TO-247PLUS-4-HCC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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