IMDQ65R010M2H是(Infineon)推出的一款CoolSiC™ MOSFET,属于650V G2系列产品,采用Q-DPAK封装,具备顶面冷却功能。IMDQ65R010M2H利用了第二代CoolSiC™技术的优越开关性能,提供了顶面冷却的优势,进一步提升了系统的整体性能和可靠性。
应用场景
IMDQ65R010M2H适用于各种工业应用,包括服务器、电信、电机驱动等高电流和低电容的场景。其优化的开关行为使得它在这些应用中表现出色。
基本参数
产品:IMDQ65R010M2H
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:650 V
Id-连续漏极电流:154 A
Rds On-漏源导通电阻:13.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:5.6 V
Qg-栅极电荷:113 nC
工作温度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:651 W
通道模式:Enhancement
商标:Infineon Technologies
配置:Single
下降时间:9.4 ns
封装/箱体:HDSOP-22
产品类型:SiC MOSFETS
上升时间:24 ns
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:30 ns
典型接通延迟时间:16 ns
型号
品牌
封装
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描述
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