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IMT65R015M2H是一款CoolSiC™ MOSFET，属于第二代产品，适用于650V的电压等级，具有15mΩ的导通电阻（RDS(on)）。‌ IMT65R015M2H采用PG-HSOF-8封装，具有优异的性能指标和设计特性，适用于各种电力电子应用场景。

IMT65R015M2H 技术规格

封装 / 箱体：HSOF-8

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：131 A

Rds On-漏源导通电阻：18 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 7 V to 23 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4.5 V

Qg-栅极电荷：148 nC

工作温度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：535 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：6.4 ns

上升时间：14.7 ns

系列：650V G2

工厂包装数量：2000

子类别：Transistors

技术：SiC

晶体管类型：1 N-Channel

类型：SiC MOSFET

典型关闭延迟时间：22 ns

典型接通延迟时间：11.6 ns

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