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FF900R12ME7WB11BPSA1.pdf
产品说明:1200 V、900 A 双 IGBT 模块
封装:MODULEFF900R12ME7WB11.pdf
产品说明:1200 V、900 A 双 IGBT 模块
封装:MODULEFF900R12ME7B11NPSA1.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安装 AG-ECONOD-3
封装:MODULEFF900R12ME7B11.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安装 AG-ECONOD-3
封装:MODULEFS3L200R10W3S7FB11BPSA1.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安装 AG-EASY3B
封装:MODULEFS3L200R10W3S7FB11.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安装 AG-EASY3B
封装:MODULEF3L400R10W3S7B11BPSA1.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟道 - 950 V 底座安装 模块
封装:MODULEF3L400R10W3S7B11.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟道 - 950 V 底座安装 模块
封装:MODULEF3L600R10W4S7FC22BPSA1.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安装
封装:MODULEF3L600R10W4S7FC22.pdf
产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安装
封装:MODULEFS05MR12A6MA1BBPSA1.pdf
产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 200A - 底座安装 AG-HYBRIDD-2
封装:MODULEFS05MR12A6MA1B.pdf
产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 200A - 底座安装 AG-HYBRIDD-2
封装:MODULEFS03MR12A6MA1LBBPSA1.pdf
产品说明:MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1200V(1.2kV) 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2
封装:MODULEFS03MR12A6MA1LB.pdf
产品说明:MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1200V(1.2kV) 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2
封装:MODULEFS03MR12A6MA1B.pdf
产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2
封装:MODULEFS03MR12A6MA1B.pdf
产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2
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