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深圳市明佳达电子有限公司
型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

线性 - 放大器，仪器，运算放大器，缓冲器 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 时钟/定时 - 应用特定时钟/定时 嵌入式 - DSP（数字信号处理器） 数据采集 - ADC/DAC - 特殊用途 射频放大器 时钟/定时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 逻辑 - 移位寄存器 模拟比较器 逻辑 - 转换器，电平移位器 数据采集 - 模数转换器（ADC） 数据采集 - 数字电位计 射频前端 嵌入式 CPLD（复杂可编程逻辑器件） 数据转换器IC 编解码器 电源管理（PMIC） PMIC - 电池充电器 功率器件 电容触摸控制器 时钟和计时器IC PMIC - 配电开关，负载驱动器 嵌入式 - 微处理器 接口 - 专用

以太网

以太网控制器 以太网供电 PoE 模块 千兆以太网收发器 以太网PHY收发器 千兆以太网 (GE) 收发器 千兆以太网 (GE) PHY 收发器 Marvell系列芯片 以太网交换机 千兆以太网 (GbE) 收发器 千兆以太网PHY芯片

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR

滤波器

5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

WIFI 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频Soc

电路保护

气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理

连接器，互连器件

同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

隔离器

光隔离器 - 逻辑输出 隔离器 - 栅极驱动器 光隔离器 - 晶体管，光电输出

通讯网络ICs

网络控制器与处理器 IC 网关控制器 无线局域网IC 开关控制器 网络接口控制器
首页 /集成电路（IC）/功率器件

品牌:

不限 ST Cypress TI INFINEON Xilinx BROADCOM Altera QUALCOMM Maxim Atmel Intel AD Microchip Renesas ON NXP TOSHIBA SAMSUNG SILICON Micron Lattice ROHM Murata REALTEK MITSUBISHI LT VISHAY Skyworks Panasonic Quectel SanDisk NUVOTON VATICS AKM MAXIC AVX Entropic NS Excelitas Nexperia Wolfson Melexis Navitas EBYTE ISSI BES BYD AMS Hittite Bourns CUI Spansion CREE NORDIC Airoha AMD SMSC Semtech POWER OMRON Triquint RFMD IXYS Honeywell SANYO Explore Enpirion EPSON Ericsson ELAN IDT Allegro Cirrus NEC PHILIPS Microsemi Winbond FUJI Freescale FAIRCHILD IR Silvertel pSemi MST MXIC ANLOGIC BOSCH SIMCOM Qorvo FTDI InvenSense Molex Kionix GigaDevice AVAGO RICHTEK SILERGY ITE MPS SHARP Intersil Samtec Vitesse Marvell Diodes Lumissil MEMSIC PARADE TE LEM U-BLOX ALPS JRC PLX Micrel TDK

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FF900R12ME7WB11BPSA1

FF900R12ME7WB11BPSA1

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产品说明：1200 V、900 A 双 IGBT 模块

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FF900R12ME7WB11

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产品说明：1200 V、900 A 双 IGBT 模块

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FF900R12ME7B11NPSA1

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INFINEON

产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安装 AG-ECONOD-3

封装：MODULE
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INFINEON

产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安装 AG-ECONOD-3

封装：MODULE
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产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安装 AG-EASY3B

封装：MODULE
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FS3L200R10W3S7FB11

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INFINEON

产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安装 AG-EASY3B

封装：MODULE
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F3L400R10W3S7B11BPSA1

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INFINEON

产品说明：IGBT 模块 沟道 - 950 V 底座安装 模块

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F3L400R10W3S7B11

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INFINEON

产品说明：IGBT 模块 沟道 - 950 V 底座安装 模块

封装：MODULE
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F3L600R10W4S7FC22BPSA1

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产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安装

封装：MODULE
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F3L600R10W4S7FC22

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INFINEON

产品说明：IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安装

封装：MODULE
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FS05MR12A6MA1BBPSA1

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产品说明：MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 200A - 底座安装 AG-HYBRIDD-2

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FS05MR12A6MA1B

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INFINEON

产品说明：MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 200A - 底座安装 AG-HYBRIDD-2

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INFINEON

产品说明：MOSFET - 阵列 6 N-沟道（3 相桥） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2

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FS03MR12A6MA1LB

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INFINEON

产品说明：MOSFET - 阵列 6 N-沟道（3 相桥） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2

封装：MODULE
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INFINEON

产品说明：MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 400A（Tj） 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2

封装：MODULE
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FS03MR12A6MA1B

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INFINEON

产品说明：MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 400A（Tj） 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2

封装：MODULE
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