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产品说明:通孔 N 通道 800 V 4A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220-3-31
封装:PG-TO220-3产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安装
封装:MODULE产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1700 V 900 A 20 mW 底座安装
封装:Module产品说明:IGBT 模块 沟槽现场停止 2 独立 1200 V 600 A 20 mW 底座安装 AG-ECONOD
封装:Module产品说明:通孔 N 通道 650 V 60A(Tc) 780W(Tc) TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:CoolMOS®功率晶体管 通孔 N 通道 650 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31
封装:PG-TO220-3产品说明:60V 单极性N沟道强IRFET™功率MOSFET,采用TO-220封装
封装:TO-220产品说明:OptiMOS™3 功率晶体管 N 通道 150 V 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TSDSON-8
封装:PG-TSDSON-8产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1050 V 429 A 1080 W 底座安装
封装:PIM60产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三相反相器 1050 V 429 A 1080 W 底座安装
封装:PIM60产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 209 A 497 W 底座安装 50PIM
封装:PIM50产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 210 A 503 W 底座安装 58PIM
封装:PIM58电话咨询:86-755-83294757
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