商品名称:STGD10HF60KD
数据手册:STGD10HF60KD.pdf
品牌:ST
年份:23+
封装:TO-252-3
货期:全新原装
库存数量:1000 件
STGD10HF60KD器件采用先进的 PowerMESH™工艺,二极管则采用 Turbo 2 超高速高压技术。这种相结合,在传导损耗和开关导通损耗和开关性能之间实现了很好的平衡使该产品成为各种高压应用的理想选择。
产品属性
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,5A
功率 - 最大值:62.5 W
开关能量:45µJ(开),105µJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:23 nC
25°C 时 Td(开/关)值:9.5ns/87ns
测试条件:400V,5A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):50 ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK
应用
• 高频逆变器
• 硬开关和谐振拓扑结构中的 SMPS 和 PFC谐振拓扑结构
• 电机驱动器
• 喷射系统
型号
品牌
封装
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描述
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概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用100引脚的UFBGA封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33内核,并搭载面向Armv8-M的TrustZone技术、DSP和浮点单元 (FPU),运行频率高达250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存储器、272 KB SRAM,采用64引脚的LQFP封装。规格核心处理器:ARM Cortex-M33内核规格:32-位速度:…电话咨询:86-755-83294757
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