STL24N60M6 MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Qg) 和经过优化的电容曲线相结合,设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率,以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项,包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案,可实现高效的热管理。
STL24N60M6 该器件包括各种工作电压,适用于工业应用,包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。
特性
经过优化的阈值电压,用于软开关
良好的开关行为,用于硬开关和软开关
极高的效率性能,可提高功率密度
低栅极电荷,可在高频下工作
电容曲线和阈值电压经过优化,用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率
广泛的产品组合
应用
充电器
适配器
银盒模块
LED照明
电信
服务器
太阳能逆变器
型号
品牌
封装
数量
描述
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意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
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L9997ND013TR 是汽车级电机驱动器 IC,专为有刷直流电机设计,具有高集成度和出色的性能,能够提供精确的电机控制和驱动功能,适用于多种汽车应用场景。VND5N07TR
VND5N07TR 一款 N沟道功率MOSFET,属于 OMNIFET II™ 和 VIPower™ 系列,采用 DPAK(TO-252-3)封装。电话咨询:86-755-83294757
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