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IGBT 晶体管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引脚封装

IGBT 晶体管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引脚封装

来源:本站时间:2024-12-04浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司提供英飞凌IGBT 晶体管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引脚封装IGD03N120S7描述:硬开关 1200 V、3 A 单路 TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封装,具有低 VCEsat,可在目标应用中实现极低的传导损耗。IGD03N120…

深圳市明佳达电子有限公司提供英飞凌IGBT 晶体管 IGD03N120S7 1200 V、3 A IGBT7 S7,采用 TO-252-3 引脚封装


IGD03N120S7描述:

硬开关 1200 V、3 A 单路 TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 分立器件,采用 TO-252 封装,具有低 VCEsat,可在目标应用中实现极低的传导损耗。


IGD03N120S7特征:

VCE = 1200 V

IC = 3 A

Tvj = 150°C 时的低 VCEsat = 2 V

短路稳固性 8 µs

宽范围 dv/dt 可控性

image.png

IGD03N120S7潜在应用:

•工业驱动器


参数: IGD03N120S7

Eoff : 0.27 mJ

Eon: 0.29 mJ

集成电路(100° 时)最大值: 6 A

集成电路(25° 时)最大值: 10 A

ICpuls 最大值: 9 A

最大功率: 45 W

封装: PG-TO252-3

QGate: 24 nC

开关频率 最小值 最大值: 2 kHz 20 kHz

技术: TRENCHSTOP™ IGBT7

VCE(饱和): 2 V

VCE: 最大 1200 V

VGE(th) : 5.7 V

td(关): 142 ns

td(on) : 18 ns

tf: 272 ns

tr: 18 ns


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