深圳市明佳达电子有限公司长期推出英飞凌汽车MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS™ - 面向汽车应用的功率 MOSFET，N 通道 120 V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3特点•N 沟道 - 增强模式•通过汽车 AEC Q101 认证•MSL1 峰值回流温度高达 260C•175C 工作温度•符合 RoHS 规范…
深圳市明佳达电子有限公司长期推出英飞凌汽车MOSFET_IPD70N12S311_OptiMOS™ - 面向汽车应用的功率 MOSFET，N 通道 120 V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
特点
•N 沟道 - 增强模式
•通过汽车 AEC Q101 认证
•MSL1 峰值回流温度高达 260°C
•175°C 工作温度
•符合 RoHS 规范
•100% 雪崩测试
产品属性: IPD70N12S311
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 70 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
配置: Single
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: N Channel
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
应用
用于电动汽车的高压 DC-DC 转换器
电动汽车车载充电 (OBC)
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