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晶体管_双N沟道_IAUCN10S5L094D_OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET

晶体管_双N沟道_IAUCN10S5L094D_OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET

来源:本站时间:2024-11-11浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司原装正品英飞凌晶体管_双N沟道_IAUCN10S5L094D_OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET,100V,最大 9.4 mΩ,双 SSO8 (5x6)产品描述IAUCN10S5L094D是OptiMOS™ 5 100V 汽车双 MOSFET 采用可靠的双 SSO8 5x6mm2 SMD 封装。 它在一个封装中集成了两个独立的 MOS…

深圳市明佳达电子有限公司原装正品英飞凌晶体管_双N沟道_IAUCN10S5L094D_OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET,100V,最大 9.4 mΩ,双 SSO8 (5x6)


产品描述

IAUCN10S5L094D是OptiMOS™ 5 100V 汽车双 MOSFET 采用可靠的双 SSO8 5x6mm2 SMD 封装。 它在一个封装中集成了两个独立的 MOSFET,从而节省了 PCB 面积。 它专为要求苛刻的汽车应用所需的高性能、高质量和坚固性而设计。

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产品应用

48V 系统 

48V 电机控制(EPS、制动、悬挂、HVAC、eTurbo)

48V 加热(催化剂/eCAT、PTC 加热器、挡风玻璃除冰)和其他 48V 辅助负载

48V 电动转向 (EPS)

48V 泵和风扇

LED 前部照明

汽油多孔喷射

柴油直喷

车厢内无线充电

汽车电池管理系统

汽油直喷


产品属性

技术: MOSFET(金属氧化物)  

配置: 2 个 N 沟道  

漏源电压(Vdss): 100V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A(Tj)  

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.4 毫欧 @ 30A,10V  

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 35µA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC @ 10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2180pF @ 50V  

功率 - 最大值: 96W(Tc)  

工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

等级: 汽车级  

资质: AEC-Q101  

安装类型: 表面贴装型  

封装/外壳: 8-PowerTDFN  

供应商器件封装: PG-TDSON-8-60 


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