供应OptiMOS™ 3 功率晶体管 IPP075N15N3G MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

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供应OptiMOS™ 3 功率晶体管 IPP075N15N3G MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

来源：本站时间：2025-07-10浏览数：

英飞凌 IPP075N15N3G OptiMOS™ 3 功率MOSFET产品介绍：IPP075N15N3G 是一款高性能N沟道功率MOSFET，采用 TO-220-3 通孔封装，具有 150V 耐压和 100A 连续漏极电流能力。作为 OptiMOS™ 3 系列的一员，该器件在 150V 电压等级中实现了行业领先的 RDS(on) 和品质因数（FO…

英飞凌 IPP075N15N3G OptiMOS™ 3 功率MOSFET产品介绍：

IPP075N15N3G 是一款高性能N沟道功率MOSFET，采用 TO-220-3 通孔封装，具有 150V 耐压和 100A 连续漏极电流能力。作为 OptiMOS™ 3 系列的一员，该器件在 150V 电压等级中实现了行业领先的 RDS(on) 和品质因数（FOM），相比次优竞品降低40%导通电阻和45% FOM，使其能够用单个器件替代原有的两个并联器件，或从插件封装转向更紧凑的SMD封装，从而优化系统设计。

IPP075N15N3G 技术规格

封装类型：TO-220-3

最大漏源电压（Vdss）：150V

最大连续漏极电流（Id）：100A

导通电阻（RDS(on)）：6.2mΩ @ 10V

栅极电荷量（Qg）：93nC @ 10V

输入电容（Ciss）：5.47nF @ 75V

反向传输电容（Crss）：10pF @ 75V

工作温度范围：-55°C 至 +175°C

最大耗散功率（Pd）：300W

IPP075N15N3G 功能特性

优异的开关性能：低导通电阻和低栅极电荷，确保高效率和快速开关。