意法半导体推出N沟道STripFET F8功率MOSFET——STL320N4LF8 汽车级 N 沟道 40 V 逻辑电平、典型值 0.55 mOhm、STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装。描述N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。产品的通态电阻极低，可减小内部电容和…
意法半导体推出N沟道STripFET F8功率MOSFET——STL320N4LF8 汽车级 N 沟道 40 V 逻辑电平、典型值 0.55 mOhm、STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封装。
描述
N沟道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。
产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。
应用示例
计算机及外设
电源与转换器
家庭电器和专业电器
游戏和无人机
电机控制
STL320N4LF8 N 沟道增强模式逻辑电平 40V 0.8mOhm 360A STripFET F8 功率 MOSFET
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
系列: STripFET F8
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 360 A
Rds On-漏源导通电阻: 800 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 43 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: 增强
框图
引脚配置
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