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三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片

三星电子以自家 4nm 先进工艺打造 HBM4 内存逻辑芯片

来源:本站时间:2024-07-16浏览数:

7 月 16 日消息,《韩国经济新闻》(hankyung) 昨日报道称,三星电子已决定在下代 HBM 内存 —— HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片。层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量;而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的控制单元,还负责通过互连层与处理器上的内存接口…

7 月 16 日消息,《韩国经济新闻》(hankyung) 昨日报道称,三星电子已决定在下代 HBM 内存 —— HBM4 中采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片。

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层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存提供容量;而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的控制单元,还负责通过互连层与处理器上的内存接口通信,也是 HBM 内存的重要组成部分。


传统上,存储厂商通常自行采用存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die,流程更为简便。但来到 HBM4 世代后,Logic Die 需要支持更多的信号引脚、更大的数据带宽,甚至还要承载部分客户定制功能。


因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂合作,用逻辑半导体工艺生产 HBM4 用 Logic Die。


此前就有消息传出,台积电将采用 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的基础裸片。

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三星电子存储部门此番采用自家 4nm 工艺打造逻辑芯片,一方面可提高 HBM4 内存综合能效,提升产品竞争力;另一方面,更为精细的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。


不仅如此,此举也可为兄弟单位 LSI 部门提供一份规模不小的订单。


对于三星电子存储部门来说,在产品中导入 LSI 部门的先进工艺并非没有先例:其面向 OEM 端的消费级固态硬盘 PM9C1a 也配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。

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