供应和收购MOSFET模块 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC™ 汽车 MOSFET 1200V

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供应和收购MOSFET模块 FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1 CoolSiC™ 汽车 MOSFET 1200V

来源：本站时间：2022-09-01浏览数：

明佳达供求碳化硅MOSFET模块FS03MR12A6MA1B、FS03MR12A6MA1BBPSA1，全新原装，质量保证，价格优势，有库存呆料需处理的欢迎联系，公司还回收一系列模块如：5G、新能源、物联网、车联网、车规级、基站、通信、人工智能、射频、家电、晶闸管、医疗、工业、蓝牙5.0、以太网、…

碳化硅 MOSFET 模块 FS03MR12A6MA1B 该电源模块采用新的 CoolSiC™ 汽车 MOSFET 1200V

描述：MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 400A（Tj） 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2

规格参数

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400A（Tj）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 400A，15V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：42.5nF @ 600V

功率 - 最大值：20mW

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：AG-HYBRIDD-2

功能总结

电气特性

新型半导体材料——碳化硅

阻断电压 1200V

低RDSon

低开关损耗

低 Og 和 Crss

低电感设计 <10nH

T vj op= 150°C

机械特性

4.2kV DC 1sec 绝缘

高爬电距离和电气间隙

紧凑的设计

高功率密度

直冷PinFin底板

高性能 Si3N4 陶瓷

PCB 和冷却器组件的导向元件

集成 NTC 温度传感器

PressFIT 接触技术

符合 RoHS 标准

UL 94 V0 模块框架

产品型号：FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1

批次：最新21+

封装：Module

明佳达供求碳化硅MOSFET模块FS03MR12A6MA1B/FS03MR12A6MA1BBPSA1，全新原装，质量保证，价格优势，有库存呆料需处理的欢迎联系，公司还回收一系列模块如：5G、新能源、物联网、车联网、车规级、基站、通信、人工智能、射频、家电、晶闸管、医疗、工业、蓝牙5.0、以太网、传感器、光模块、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列。

要求：只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源。

公司首页：www.hkmjd.com

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