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ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N沟道 30V MOSFET - 单个

ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N沟道 30V MOSFET - 单个

来源:本站时间:2022-09-05浏览数:

明佳达只做原装正品,推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N沟道 30V MOSFET - 单个,价格优势,质量保证,欢迎咨询QQ:1668527835电话:13410018555 邮箱:chen13410018555@163.com、sales@hkmjd.com

明佳达只做原装正品,推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N沟道 30V MOSFET - 单个,价格优势,质量保证,欢迎咨询!


型号:NTMFS4C55NT1G

年份:最新21+

封装:DFN

NTMFS4C55NT1G.jpg

NTMFS4 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。

NTMFS4 采用各种小尺寸封装选项,可提高设计灵活性。


产品属性

制造商:onsemi

产品种类:MOSFET

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8FL

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:21.7 A

Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

Qg-栅极电荷:14 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:33 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:7 ns

正向跨导 - 最小值:68 S

长度:6 mm

产品类型:MOSFET

上升时间:32 ns

系列:NTMFS4C55N

工厂包装数量:1500

子类别:MOSFETs

晶体管类型:1 N-Channel

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:11 ns

宽度:5 mm

单位重量:540 mg


公司长期回收MOS管NTMFS4C55NT1G场效应管,收购个人库存,工厂库存,电子元器件,5G模组,新能源模组,5G芯片,基站IC,人工智能IC,网络IC,蓝牙IC,手机IC,汽车IC,通信IC,家电IC,电源IC,驱动IC,物联网IC和模组芯片,连接器,射频模块,存储器,继电器,MOS管,单片机,二三级管等产品。


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