明佳达只做原装正品,推出ON MOS管 NTMFS4C55NT1G N沟道 30V MOSFET - 单个,价格优势,质量保证,欢迎咨询QQ:1668527835电话:13410018555 邮箱:chen13410018555@163.com、sales@hkmjd.com
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年份:最新21+
封装:DFN
NTMFS4 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺(结合屏蔽栅极技术)生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化,可最大限度地降低导通电阻,另外还采用出色的软体二极管,可保持卓越的开关性能。
NTMFS4 采用各种小尺寸封装选项,可提高设计灵活性。
产品属性
制造商:onsemi
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8FL
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:21.7 A
Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V
Qg-栅极电荷:14 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:33 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:7 ns
正向跨导 - 最小值:68 S
长度:6 mm
产品类型:MOSFET
上升时间:32 ns
系列:NTMFS4C55N
工厂包装数量:1500
子类别:MOSFETs
晶体管类型:1 N-Channel
典型关闭延迟时间:21 ns
典型接通延迟时间:11 ns
宽度:5 mm
单位重量:540 mg
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