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碳化硅MOSFET模块 6 N-沟道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A

碳化硅MOSFET模块 6 N-沟道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A

来源:本站时间:2022-09-01浏览数:

深圳明佳达电子公司供应及收购碳化硅MOSFET模块 6 N-沟道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2。

深圳明佳达电子公司供应及收购碳化硅MOSFET模块 6 N-沟道 FS03MR12A6MA1LB、FS03MR12A6MA1LBBPSA1 1200V 400A 


制造商:Infineon Technologies

制造商产品型号:FS03MR12A6MA1LBFS03MR12A6MA1LBBPSA1

描述:POWER MODULE

详细描述:MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 1200V(1.2kV) 400A 20mW 底座安装 AG-HYBRIDD-2

参数

FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)

FET 功能:碳化硅(SiC)

漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.7 毫欧 @ 400A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.55V @ 240mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):1320nC @ 15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):42.6nF @ 600V

功率 - 最大值:20mW

工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:模块

供应商器件封装:AG-HYBRIDD-2


潜在应用

汽车应用

混合动力电动汽车 (H)EV

电机驱动

商用农用车

主逆变器


服务特点:

1.代销  (回收资金较多、可控性高;缺点是处理时间较长、有仓储成本),我们可以给您最高的回报率.

2.寄卖  (优点是回收资金较多、降低物流成本;缺点是 处理时间较长),我们可以灵活的销售,专业的物流处理.

3.清仓(优点是能一次性处理掉退港电子料、库存呆料迅速盘活资金;缺点是回收资金较少),我们可以以高价采购您的库存品.


回收具体流程:

1.您将积压的IC/模组库存进行简单分类,确定型号、品牌、生产日期、数量等.

2.请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队.

3.等待公司专业人士的采购报价,达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付.

4.公司只回收正规渠道货源,如代理商、贸易商、终端工厂等,不接受不是正规渠道货源.


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