GS61008T-MR 100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管的中文参数

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GS61008T-MR 100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管的中文参数

来源：本站时间：2024-05-24浏览数：

概述：GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅基氮化镓功率器件。这些晶体管具有GaN的特性，可提供高电流、高击穿电压和极高的开关频率。GS6100x晶体管采用岛式技术单元布局，以提供高电流芯片和高产量。它们还采用GaNPX封装，在小封装中提供低电导和低热阻。GS6100x晶体管…

概述：

GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅基氮化镓功率器件。这些晶体管具有GaN的特性，可提供高电流、高击穿电压和极高的开关频率。GS6100x晶体管采用岛式技术单元布局，以提供高电流芯片和高产量。它们还采用GaNPX封装，在小封装中提供低电导和低热阻。GS6100x晶体管为高功率应用提供极低的结至外壳热阻。所有这些特性相结合，提供了非常高效的电源开关。

GS61008T-MR 参数：

技术：GaN-on-Si

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：GaNpx

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：100 V

Id-连续漏极电流：90 A

Rds On-漏源导通电阻：9.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 7 V

Vgs th-栅源极阈值电压：1.1 V

Qg-栅极电荷：8 nC