概述：FP50R12N2T7B76 EconoPIM™ 2 1200 V、50 A三相PIM IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、发射极控制7二极管和NTC。集成整流器和制动斩波器的PIM（功率集成模块）可节省系统成本。也可采用压接工艺。特性• 电气特性- VCES = 1200 V- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A-
概述：
FP50R12N2T7B76 EconoPIM™ 2 1200 V、50 A三相PIM IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、发射极控制7二极管和NTC。集成整流器和制动斩波器的PIM（功率集成模块）可节省系统成本。也可采用压接工艺。
特性
• 电气特性
- VCES = 1200 V
- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A
- 沟槽栅 IGBT7
- 低 VCEsat
- 过载操作达 175°C
• 机械特性
- 高功率循环和温度循环能力
- 集成 NTC 温度传感器
- 铜基板
- 低热阻的三氧化二铝 Al2O3 衬底
- 焊接技术
应用
• 辅助逆变器
• 电机传动
• 伺服驱动器
产品认证
• 根据 IEC 60747、60749 和 60068 标准的相关测试，符合工业应用的要求。
深圳市明佳达电子有限公司（回收）供应原装物料FP50R12N2T7B76 1200 V 50 A 三相 PIM IGBT模块。
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