深圳市明佳达电子有限公司供求MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N 通道 600 V 31A（Tc） 125W（Tc） PG-DSO-20-87制造商： Infineon Technologies 系列： CoolGaN™ FET 类型： N 通道 技术： GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）： 600 V 25C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：31A…
深圳市明佳达电子有限公司供求MOSFET IGOT60R070D1AUMA1 N 通道 600 V 31A（Tc） 125W（Tc） PG-DSO-20-87
制造商： Infineon Technologies
系列： CoolGaN™
FET 类型： N 通道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：31A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 380 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PG-DSO-20-87
封装/外壳： 20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
介绍
CoolGaN系列产品的目标应用需要增强型（常关）HEMT器件，这在典型的电源转换应用中具有更大的优势，因为它们的运行需要的功率更少。CoolGaN HEMT器件的大部分操作优势来自于它们在超高频率下的开关能力，但这是一个可能受封装引线寄生电阻影响的特性。出于这个原因，CoolGaN器件采用SMD（表面贴装器件）技术进行封装，而不是通孔封装。
CoolGaN技术使得利用“与HEMT晶体管相同的制造工艺”可以集成静电放电保护二极管。GaN和AlGaN层通过外延在硅衬底上沉积获得。增强型功率GaN晶体管具有p-HEMT结构。新颖独特的场板结构在金属层中加工获得。
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