英飞凌科技CoolGan™ 600V增强模式 (e-Mode) 功率晶体管可实现更简单的半桥拓扑，具有快速导通和关断速度。该晶体管具有高效率、高功率密度、更高的工作频率能力和更低的EMI。
深圳市明佳达电子有限公司供应和回收CoolGan™ 600V功率晶体管《IGT60R190D1SATMA1》具有极高的效率和可靠性
介绍
英飞凌科技CoolGan™ 600V增强模式 (e-Mode) 功率晶体管可实现更简单的半桥拓扑，具有快速导通和关断速度。该晶体管具有高效率、高功率密度、更高的工作频率能力和更低的EMI。应用包括电信/数据通信/服务器SMPS、无线充电、充电器和适配器。
技术参数
系列： CoolGaN™
FET 类型： N 通道
技术： GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）： 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1，6V @ 960µA
Vgs（最大值）： -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 157 pF @ 400 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 55，5W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-3
封装/外壳： 8-PowerSFN
基本产品编号： IGT60R190
特性
增强模式晶体管，常关型开关
超快开关速度
无反向恢复电荷
能够反向导通
低栅极电荷、低输出电荷
出色的换向耐受性
提高系统效率
提高功率密度
支持更高工作频率
系统成本降低
降低EMI
符合JEDEC标准（JESD47和JESD22），适用于工业应用
公司只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源。
公司首页：www.hkmjd.com
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
最新资讯
![[Microchip以太网]带双集成以太网 PHY 的 LAN9252I/ML EtherCAT 控制器](/upload/202405/18/202405181555364367.jpg)
