深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌OptiMOS™ 5 功率晶体管,80V BSC026N08NS5 N 沟道功率 MOSFET 23A/100A TDSON-8描述:BSC026N08NS5是 OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,设计用于电信和服务器电源中的同步整流。OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,专为电信和服务器电
深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌OptiMOS™ 5 功率晶体管,80V BSC026N08NS5 N 沟道功率 MOSFET 23A/100A TDSON-8
描述:
BSC026N08NS5是 OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,设计用于电信和服务器电源中的同步整流。OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外,该器件还可用于太阳能、低压驱动和适配器等其他工业应用。OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装,具有业界最低的 RDS(on)。此外,与上一代产品相比,OptiMOS™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。
潜在应用
电信
服务器
太阳能
低压驱动器
适配器
BSC026N08NS5 产品属性:
制造商:Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 74 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 60 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
上升时间: 14 ns
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度:5.15 mm
电话咨询:86-755-83294757
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