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OptiMOS™ 5 功率晶体管,80V BSC026N08NS5 N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 5 功率晶体管,80V BSC026N08NS5 N 沟道功率 MOSFET

来源:本站时间:2025-01-07浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌OptiMOS™ 5 功率晶体管,80V BSC026N08NS5 N 沟道功率 MOSFET 23A/100A TDSON-8描述:BSC026N08NS5是 OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,设计用于电信和服务器电源中的同步整流。OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,专为电信和服务器电

深圳市明佳达电子有限公司全新原装英飞凌OptiMOS™ 5 功率晶体管,80V BSC026N08NS5 N 沟道功率 MOSFET  23A/100A TDSON-8


描述:

BSC026N08NS5是 OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,设计用于电信和服务器电源中的同步整流。OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET,专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外,该器件还可用于太阳能、低压驱动和适配器等其他工业应用。OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装,具有业界最低的 RDS(on)。此外,与上一代产品相比,OptiMOS™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。



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潜在应用

  • 电信

  • 服务器

  • 太阳能

  • 低压驱动器

  • 适配器


BSC026N08NS5 产品属性:

制造商:Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 74 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 156 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

配置: Single

下降时间: 16 ns

正向跨导 - 最小值: 60 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

上升时间: 14 ns

系列: OptiMOS 5

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 47 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

宽度:5.15 mm

BSC026N08NS5.jpg

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