采用 TO-247 封装的 IMW65R007M2H CoolSiC™ MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技术优势的基础上，加快了成本优化、高效、紧凑和可靠解决方案的系统设计。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键性能指标方面均有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
IMW65R007M2H 的特点
优异的性能指标 (FOM)
TO-247 内的个位数 RDS(on)
同类最佳 RDS(on)
高稳定性和整体质量
支持单极驱动（Vgsoff=0）
最佳的抗导通效应
通过 .XT 改进封装互连
IMW65R007M2H 的优点
节省 BOM
最大限度地提高每美元的系统性能
可靠性最高
实现最高效率和功率密度
易于使用
与现有供应商完全兼容
允许无风扇或散热片设计
型号
品牌
封装
数量
描述
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ISC044N15NM6
ISC044N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常电平在竞争激烈的 150 V 市场中创造了新的性能水平。OptiMOS™ 6 150 V 技术旨在满足高、低开关频率应用以及硬开关和软开关的要求。ISC044N15NM6 的特性RDS(on) 比 OptiMOS™ 5 低 41FOMg 比 OptiMOS™ 5 低 20150 V 时的业界最低 Qr
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IAUTN08S5N012L 是 80V 1.15mΩ 或 9.0mΩ N 沟道 OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET 晶体管。IAUTN08S5N012L 的特点一个封装中包含两种 MOSFET！线性 FET 和低 RDS(on) FET 类型LINFET 开关速度慢，限制电流ONFET 用于限制稳态损耗LINFET 具有增强的 SOA严格的 VGS(th) 范围，适合…电话咨询：86-755-83294757
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