DD175N34K是一款高性能的二极管模块,专为高压、大电流应用设计。它采用先进的 IGBT 技术,能够稳定地工作在高电压和大电流条件下,适用于多种工业和能源应用场景。它采用双系列配置(Double Series),具有高浪涌电流耐受能力和出色的直流阻断稳定性,可在整个使用寿命期间保持良好的性能。
DD175N34K特性
压力触点技术,可靠性高
工业标准封装
电绝缘底板
故障时短路
坚固耐用
优点
专为满足高过载和功率循环要求而设计
在整个使用寿命期间具有较高的直流阻断稳定性
高浪涌电流能力,尤其适用于电网短时尖峰电流
一个供应商可提供多种功率模块
DD175N34K规格
二极管配置: 1 对串行连接
技术:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 3400 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 223A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.05 V @ 600 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 mA @ 3400 V
工作温度 - 结: -40°C ~ 150°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
DD175N34K应用
集中逆变器解决方案
中压驱动
电机控制
不间断电源 (UPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
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IPB180N04S4L-H0 是英飞凌推出的一款 N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ T2 40V 系列,采用 TO-263-7(DPak)封装。电话咨询:86-755-83294757
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