CY7S1061GE-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速静态 RAM,按 16 位组织为 1,048,576 字。该器件具有快速存取时间(10 ns)和独特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE-10ZXI 器件的睡眠模式电流低至 45 µA,在行业标准封装选项中结合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。该器件还具有嵌入式 ECC 功能。ECC 逻辑可检测并纠正访问位置中的单位错误。CY7S1061GE-10ZXI 器件包含一个ERR 引脚,可在读取周期内发出错误检测和纠正事件信号。
CY7S1061GE-10ZXI 的特点
高速
tAA = 10 ns
超低功耗 PowerSnooze™ 器件
深度睡眠 (DS) 电流 IDS = 45 µA 最大值
低活动和待机电流
ICC = 90-mA 典型值
ISB2 = 20-mA 典型值
宽工作电压范围: 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V 和 4.5 V 至 5.5 V
嵌入式纠错码 (ECC),用于单位纠错
1.0 V 数据保持
晶体管晶体管逻辑 (TTL) 兼容输入和输出
错误指示 (ERR) 引脚,用于指示 1 位错误检测和纠正
提供无铅和锡/铅 48 球 VFBGA 封装
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