CY7S1049G30-10VXI 是一款高性能 PowerSnooze™ 静态 RAM,组织形式为 512K 字 × 8 位。该器件具有快速存取时间(10 ns)和独特的超低功耗深度休眠模式。CY7S1049G30-10VXI 器件的深度休眠模式电流低至 15 µA,在行业标准封装选项中结合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。该器件还具有嵌入式 ECC 逻辑,可检测和纠正访问位置中的单位错误。
CY7S1049G30-10VXI 的特点
高速
访问时间 (tAA) = 10 ns / 15 ns
超低功耗深度休眠 (DS) 电流
IDS = 15 µA
低活动和待机电流
活动电流 ICC = 38-mA 典型值
待机电流 ISB2 = 6 mA(典型值
宽工作电压范围: 1.65 V 至 2.2 V、2.2 V 至 3.6 V、4.5 V 至 5.5 V
嵌入式 ECC,用于单位纠错
错误指示 (ERR) 引脚用于指示 1 位错误检测和纠正
1.0 V 数据保持
TTL 兼容输入和输出
采用无铅 44 引脚 TSOP II 和 36 引脚(400 密耳)模制 SOJ 封装
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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