VUO36-16NO8是一款高性能三相桥式整流器,专为高电压、高电流的应用场景设计。该产品采用先进的制造工艺,确保了高可靠性和卓越的电气性能,适用于多种工业和商业应用。
VUO36-16NO8产品属性
二极管类型:三相
技术: 标准
电压 - 峰值反向(最大值): 1.6 kV
电流 - 平均整流 (Io) :27 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :1.04 V @ 15 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 1600 V
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: QC 端子
封装/外壳: 5-方形,FO-B
供应商器件封装: FO-B
型号
品牌
封装
数量
描述
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IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…
LSIC1MO120G0025
LSIC1MO120G0025器件是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管。LSIC1MO120G0025适用于需要高电压和高电流的应用场景,例如电源管理、电机控制、逆变器等工业和消费电子产品中。技术参数封装 / 箱体:TO-247-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压…IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管,其导通电阻(RDS(on))为30mΩ,这意味着在导通状态下,器件的电阻较小,有助于减少能量损耗。该IXSH80N120L2KHV器件适用于需要高效率、快速开关和低损耗的应用,如车载充电器、电动汽车/混合动力汽车的DC/DC变换…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工业级SiC MOSFET,其耐压值为1200V,具有低导通电阻和高速开关特性,适用于高功率应用场景。IXSH40N120L2KHV具有较低的导通电阻,有助于减少能量损耗,提高系统效率。技术参数产品:IXSH40N120L2KHV封装 / 箱体:TO-247-4L晶体管极性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工业级、单开关SiC MOSFET,具有低损耗、快速切换的特性,适用于高速度工业开关模式电源供应。主要特性低导通损耗:IXSA80N120L2-7的导通损耗非常低,具体为30mΩ。低栅极驱动功率要求:栅极驱动电压范围为-3/+15到18V。低热管理需求:该MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工业级单管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有优异的功率循环特性和快速、低损耗的开关行为。应用领域IXSA40N120L2-7适用于多种高功率和高频率的应用场景,包括:太阳能逆变器开关模式电源不间断电源电机驱动DC/DC转换器电动汽车充电基础设施感应加热…DSI45-16A
DSI45-16A是一款高性能肖特基二极管,采用先进的沟槽技术,具有低正向压降、高开关速度和低反向漏电流等特点,适用于各种高频、高效率的电源应用。电话咨询:86-755-83294757
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