IXSA80N120L2-7是一款工业级、单开关SiC MOSFET，具有低损耗、快速切换的特性，适用于高速度工业开关模式电源供应。
主要特性
低导通损耗：IXSA80N120L2-7的导通损耗非常低，具体为30mΩ。
低栅极驱动功率要求：栅极驱动电压范围为-3/+15到18V。
低热管理需求：该MOSFET的热管理需求低，适合在各种工业应用中使用。
快速切换：具有高速切换特性，适用于需要快速响应的应用场景。
高阻断电压：能够承受1200V的高电压。
低输入电容：输入电容Ciss为3000pF，有助于减少开关损耗。
高结温：最大虚拟结温为175°C，适合在高温环境下使用。
IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET适用于以下领域：
太阳能逆变器
开关模式电源供应
不间断电源（UPS）
电机驱动
DC/DC转换器
电动汽车充电基础设施
感应加热
型号
品牌
封装
数量
描述
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