IXSA40N120L2-7是一款工业级单管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有优异的功率循环特性和快速、低损耗的开关行为。
应用领域
IXSA40N120L2-7适用于多种高功率和高频率的应用场景,包括:
太阳能逆变器
开关模式电源
不间断电源
电机驱动
DC/DC转换器
电动汽车充电基础设施
感应加热
技术参数
封装 / 箱体:TO-263-7L
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Id-连续漏极电流:41 A
Rds On-漏源导通电阻:104 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V
Qg-栅极电荷:53 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:250 W
通道模式:Enhancement
商标:IXYS
配置:Single
下降时间:9.5 ns
封装:Reel
封装:Cut Tape
产品:MOSFETs
产品类型:SiC MOSFETS
上升时间:14.4 ns
系列:IXSA40N120L2-7
晶体管类型:1 N-Channel
类型:SiC MOSFET
典型关闭延迟时间:11.5 ns
典型接通延迟时间:5.6 ns
型号
品牌
封装
数量
描述
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