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IXSA40N120L2-7是一款工业级单管碳化硅MOSFET（SiC MOSFET），具有优异的功率循环特性和快速、低损耗的开关行为。

应用领域

IXSA40N120L2-7适用于多种高功率和高频率的应用场景，包括：

太阳能逆变器

开关模式电源

不间断电源

电机驱动

DC/DC转换器

电动汽车充电基础设施

感应加热

技术参数

封装 / 箱体：TO-263-7L

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV

Id-连续漏极电流：41 A

Rds On-漏源导通电阻：104 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 5 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4.5 V

Qg-栅极电荷：53 nC

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

Pd-功率耗散：250 W

通道模式：Enhancement

商标：IXYS

配置：Single

下降时间：9.5 ns

封装：Reel

封装：Cut Tape

产品：MOSFETs

产品类型：SiC MOSFETS

上升时间：14.4 ns

系列：IXSA40N120L2-7

晶体管类型：1 N-Channel

类型：SiC MOSFET

典型关闭延迟时间：11.5 ns

典型接通延迟时间：5.6 ns

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