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SCT025H120G3-7器件是一款1200 V 碳化硅功率MOSFET，采用（ST）先进的SiC MOSFET技术开发而成。SCT025H120G3-7具有极低的RDS(on)、低电容和极高的开关操作性能，适用于高频、高效、系统尺寸和重量减轻的应用场景‌‌。

技术规格

产品：SCT025H120G3-7

封装 / 箱体：H2PAK-7

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV

Id-连续漏极电流：55 A

Rds On-漏源导通电阻：37 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：3 V

Qg-栅极电荷：73 nC

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

Pd-功率耗散：375 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：25 ns

封装：Reel

封装：Cut Tape

产品类型：SiC MOSFETS

上升时间：27 ns

典型关闭延迟时间：48 ns

典型接通延迟时间：23 ns

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。