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SCT055TO65G3是一款650 V 碳化硅功率 MOSFET 晶体管，具有极低的每区域导通电阻 (RDS(on)) 以及出色的开关性能。SCT055TO65G3具有高速切换性能，适用于需要高频切换的应用‌。

应用领域

开关模式电源（SMPS）‌：SCT055TO65G3适用于需要高频切换和高能效的开关模式电源应用‌。

DC-DC转换器‌：SCT055TO65G3用于直流到直流的电压转换器，适用于需要高效能量转换的场合‌。

技术参数

产品：SCT055TO65G3

封装 / 箱体：TOLL-8

晶体管极性：N-Channel

通道数量：1 Channel

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Id-连续漏极电流：30 A

Rds On-漏源导通电阻：72 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：3 V

Qg-栅极电荷：31 nC

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

Pd-功率耗散：234 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：13.6 ns

封装：Reel

封装：Cut Tape

产品类型：SiC MOSFETS

上升时间：5 ns

典型关闭延迟时间：19.4 ns

典型接通延迟时间：9.2 ns

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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