FD900R12IP4D是一款由(Infineon)推出的1200 V 900 A 斩波器 IGBT模块,属于PrimePACK™2系列。 该模块采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和增大的发射极控制二极管。
FD900R12IP4D具有以下特性:
提高工作温度 T(tvj op)
高直流电压稳定性
高短路能力,自限制短路电流
VCE(sat) 具有正温度系数特性
低 VCE(sat)
4kV 交流 1 分钟绝缘
封装的 CTI > 400
高爬电距离和电气间隙
高功率循环和温度循环能力
低热阻衬底
FD900R12IP4D模块适用于需要频繁开关的应用场景,包括商用、建筑和农用车辆(CAV)等需要高功率和高可靠性的场合。
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…BTS5016SDA
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BSZ440N10NS3G 是英飞凌推出的 N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封装,该器件专为高效率、高功率密度的电源转换应用设计,具有低导通电阻、快速开关能力和高可靠性等特点。BSZ440N10NS3G产品特性低导通电阻:RDS(on) 低至 1.1 毫欧,显著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飞凌推出的 PROFET™(Protected FET)智能高侧电源开关,属于多通道功率开关IC,专为 汽车电子、工业控制及电源管理 等应用设计。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS™ 5功率MOSFET,设计符合提升系统效率的需求,同时可降低系统成本。相较于其他备选器件,该器件的RDS(on)和品质因数 (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的导通电阻符合标准的开关性能(低品质因数Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET™ 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系统的整体性能,同时还具有出色的稳健性。该产品针对低开关频率和高开关频率进行了优化,可为各种应用提供支持,实现灵活设计。主要规格FET 类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源…电话咨询:86-755-83294757
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