HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。HMC1063LP3E为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。
HMC1063LP3E具有以下主要特性:
低LO功率: 10 dBm
宽IF带宽: DC - 3 GHz
镜像抑制: 21 dBc
LO/RF隔离: 40 dB
高输入IP3: 17 dBm
16引脚3x3 mm SMT封装: 9 mm²
HMC1063LP3E适用于以下领域:
点对点和点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信
传感器
型号
品牌
封装
数量
描述
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