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HMC1113LP5E：射频混频器——10GHz 至 16GHz，GaAs MMIC I/Q下变频器

型号：HMC1113LP5E

封装：QFN-32

类型：射频混频器

HMC1113LP5E 是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。

HMC1113LP5E采用LNA，后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。

HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

HMC1113LP5E 产品特性：

转换增益：12 dB

镜像抑制：25 dBc

LO至RF隔离：45 dB

噪声系数：1.8 dB

IP3：1 dBm

32引脚5 x 5 mm SMT封装

HMC1113LP5E 应用：

点对点和点对多点无线电

卫星通信

移动无线电

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