CY15B128Q-SXET 是一款 128 Kb 非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。F-RAM 是非易失性的,执行读取和写入操作类似于 RAM。它提供 121 年的可靠数据保留,同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和EEPROM不同,CY15B128Q以总线速度执行写操作。不会发生写入延迟。每个字节成功传输到器件后,数据会立即写入存储器阵列。无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品提供了强大的写入耐久性。CY15B128Q能够支持1013个读/写周期,比EEPROM多1000万倍的写周期。
CY15B128Q-SXET 的规格:
存储容量:128 kBit
时钟频率:33 MHz
接口类型:SPI
工作温度:-40 °C 125 °C
电源电压:2.7 V 3.6 V
组织:16Kb x 8
封装:SOIC-8
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F3L600R10W4S7F-C22 带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和 CoolSiC™ 肖特基二极管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK™ 模块特征• 电气特性- VCES = 950 V- IC 标称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二极管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C• 机械特性- CTI >FF900R17ME7-B11
FF900R17ME7-B11搭载TRENCHSTOP™ IGBT7 第七代发射极控制二极管、NTC、PressFIT压接技术,还可预涂热界面材料(TIM)。FF900R17ME7-B11具有最高功率密度,出类拔萃的VCE,sat,过载时Tvj op = 175C,优化开关损耗,增强dv/dt可控性,改善二极管软度和Erec损耗,增强对宇宙…FF600R12ME7-B11
FF600R12ME7-B11 是 EconoDUAL™3 模块,带有 TRENCHSTOP™IGBT7 和发射极受控 7 二极管和 NTC。特点电气特性VCES = 1200 VIC 额定值 = 600 A / ICRM = 1200 A集成温度传感器Trenchstoptm IGBT7正温度系数 VCEsat机械特性高功率密度隔离底板PressFIT 触点技术标准外壳潜在…电话咨询:86-755-83294757
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