CY15B201QSN-108SXE - EXCELON™ 1Mbit Automotive-E Quad SPI F-RAM 存储器 IC
一、描述:
CY15B201QSN-108SXE 是一款采用先进铁电工艺的高性能 1-Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器,其读写功能与 RAM 相似。CY15B201QSN 将 1-Mb F-RAM 与高速 Quad SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相结合,增强了 F-RAM 技术的非易失性写入能力。该器件支持循环冗余检查 (CRC) 功能,可用于检查存储器阵列中存储数据的完整性。
二、主要功能:
1-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 128K × 8
- 先进的高可靠性铁电工艺
单输入/输出和多输入/输出串行外设接口 (SPI)
SPI 时钟频率
- 高达 108MHz 频率 SPI 单数据速率 (SDR)
- 高达 54MHz 频率的 SPI 双数据速率 (DDR)
专用 256 字节特殊扇区 F-RAM
- 专用特殊扇区写入和读取
- 内容可经受长达三个标准回流焊周期的考验
低压工作 - VDD = 1.8 V 至 3.6 V
汽车工作温度:-40°C 至 +125°C
符合 AEC - Q100 1 级标准
8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
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描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要,在这些应用中,价格/性能、实时响应性、计算能…FP75R12KT4-B16
FP75R12KT4-B16 是英飞凌推出的 IGBT 功率模块,属于 EconoPIM™ 3 系列,采用 三相反相器配置,适用于 工业电机驱动、变频器、UPS 电源 等高功率应用。FP75R12KT4B16
FP75R12KT4B16 是英飞凌推出的 IGBT 功率模块,属于 EconoPIM™ 3 系列,采用 三相反相器配置,适用于 工业电机驱动、变频器、UPS 电源 等高功率应用。F3L600R10W4S7F-C22
F3L600R10W4S7F-C22 带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和 CoolSiC™ 肖特基二极管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK™ 模块特征• 电气特性- VCES = 950 V- IC 标称 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二极管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C• 机械特性- CTI >FF900R17ME7-B11
FF900R17ME7-B11搭载TRENCHSTOP™ IGBT7 第七代发射极控制二极管、NTC、PressFIT压接技术,还可预涂热界面材料(TIM)。FF900R17ME7-B11具有最高功率密度,出类拔萃的VCE,sat,过载时Tvj op = 175C,优化开关损耗,增强dv/dt可控性,改善二极管软度和Erec损耗,增强对宇宙…FF600R12ME7-B11
FF600R12ME7-B11 是 EconoDUAL™3 模块,带有 TRENCHSTOP™IGBT7 和发射极受控 7 二极管和 NTC。特点电气特性VCES = 1200 VIC 额定值 = 600 A / ICRM = 1200 A集成温度传感器Trenchstoptm IGBT7正温度系数 VCEsat机械特性高功率密度隔离底板PressFIT 触点技术标准外壳潜在…电话咨询:86-755-83294757
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