CY15V108QN-40BFXI 是一款采用先进铁电工艺的低功耗 8-Mb 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器,其读写操作类似于 RAM。
CY15V108QN-40BFXI 的特点
8-Mb 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 1024K × 8
快速串行外设接口 (SPI)
频率高达 40 MHz
支持 SPI 模式 0(0,0)和模式 3(1,1)
先进的写保护方案
使用禁写 (WRDI) 指令进行软件保护
专用的 256 字节特殊扇区 F-RAM
专用特殊扇区写入和读取
存储内容可在三个标准回流焊接周期内正常运行
40 MHz 时的有效电流为 2.6 mA(典型值
3.5 µA(典型值)待机电流
0.90 µA(典型值)深度掉电模式电流
0.1 µA(典型值)休眠模式电流
-40°C 至 85°C 工业温度
符合有害物质限制 (RoHS) 标准
型号
品牌
封装
数量
描述
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(铁电体 RAM) 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O,QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
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