CY62167G30-45ZXI 是带嵌入式 ECC 的高性能 CMOS 低功耗 (MoBL®) SRAM 器件。该器件支持单芯片和双芯片使能选项以及多种引脚配置。CY62167GE 器件具有一个 ERR 引脚,用于通知读周期中的单比特错误检测和纠正事件。 通过将芯片使能输入 (CE) 置为低电平,可以访问单芯片使能的 器件。通过将两个芯片使能输入 — CE1 置为低电平, CE2 置为 高电平,可以访问双芯片使能器件。
CY62167G30-45ZXI 的规格:
存储容量:16 Mbit
组织:2 M x 8/1 M x 16
访问时间:45 ns
最大时钟频率:-
接口类型:Parallel
电源电压-最大:3.6 V
电源电压-最小:2.2 V
电源电流—最大值:36 mA
工作温度:- 40°C 至 + 85°C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TFSOP-48
封装:Tray
商标:Infineon Technologies
存储类型:SDR
湿度敏感性:Yes
产品类型:SRAM
系列:CY62167
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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