TW015N120C,S1F - 碳化硅 (SiC) MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：TW015N120C,S1F

商品名称：TW015N120C,S1F

品牌：TOSHIBA

年份：23+

封装：TO-247-3

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

制造商

TOSHIBA

型号

TW015N120C,S1F

封装

TO-247-3

描述

通孔 N 通道 1200V 100A（Tc） 431W（Tc）TO-247

TW015N120C,S1F N通道 1200V 100A 第三代(内置SiC肖特基势垒二极管)芯片设计而成的MOSFET器件

产品规格：

FET 类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 50A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 11.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：158 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6000 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：431W（Tc）

工作温度：175°C

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

封装/外壳：TO-247-3

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