商品名称：SCTWA30N120
数据手册：
SCTWA30N120.pdf
品牌：ST
年份：23+
封装：HiP247
货期：全新原装
库存数量：3000 件
SCTWA30N120 1200V 45A 碳化硅 (SiC) MOSFET采用HiP247封装，具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻RDS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。该功率MOSFET器件应用包括太阳能逆变器，UPS、电机驱动、高压DC-DC变换器和开关式供电。
产品规格：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA （标准）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：105 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1700 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：270W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：HiP247™ 长引线
封装/外壳：TO-247-3
基本产品编号：SCTWA30
型号
品牌
封装
数量
描述
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