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深圳市明佳达电子有限公司
型号

MPQ5031GRE MPQ4272GVE 88Q2112

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 功率放大器模块 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器 逻辑 - 门和反相器 发射器 隔离式比较器 高速比较器 接口 - 多速率定时器 USB 控制器 CCD 信号处理器 光度测量前端 隔离放大器 数字显示控制器 数字控制器 音频处理器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频Soc

电路保护

浪涌抑制 IC ESD 抑制器/TVS 二极管 气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 TVS - 混合技术

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

圆形连接器 汽车连接器 卡边缘连接器 板对板与夹层连接器 FFC、FPC（扁平柔性）连接器 背板连接器 矩形连接器 同轴连接器（射频） 矩形连接器 - 阵列，边缘型，夹层式（板对板）

传感器

生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器 - 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 光学传感器 - 环境光 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器 运动传感器 - 陀螺仪 超声波接收器、发射器（距离测量） 光学传感器 - 反射式 - 逻辑输出 传感器模块 压力传感器 电流传感器 电容触摸传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

嵌入式和网络处理器

安全处理器
首页 /集成电路（IC）/功率器件/碳化硅 (SiC）/碳化硅 (SiC) MOSFET
图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：MSCSM120DUM31CTBL1NG

商品名称：MSCSM120DUM31CTBL1NG

数据手册：MSCSM120DUM31CTBL1NG.pdf

品牌：Microchip

年份：23+

封装：MODULE

货期：全新原装

库存数量：1000 件

数量:
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公司名称：

技术参数

制造商
Microchip
型号
MSCSM120DUM31CTBL1NG
封装
MODULE
描述
MOSFET - 阵列 2 N 沟道1200V 79A 310W 底座安装

产品描述

MSCSM120DUM31CTBL1NG器件是1200vV  79A双共源碳化硅(SiC) MOSFET功率模块。该模块采用薄型设计，可直接安装到散热片（隔离式封装）、内部热敏电阻（用于温度监控）以及扩展温度范围。


产品规格：

技术：碳化硅（SiC）

配置：2 N 沟道（双）共源

FET 功能：-

漏源电压（Vdss）：1200V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：31 毫欧 @ 40A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：232nC @ 20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3020pF @ 1000V

功率 - 最大值：310W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：-

基本产品编号：MSCSM120


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数量

描述

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采用 TO247-4 封装的 CoolSiC™ 1200V、7mΩ SiC 沟槽 MOSFET 晶体管

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