商品名称:IPBE65R075CFD7AATMA1
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:TO-263-7
货期:全新原装
库存数量:5000 件
IPBE65R075CFD7AATMA1是650V的CoolMOS™ N沟道汽车级SJ功率MOSFET CFD7A,具有更高的可靠性和功率密度,并增强了设计灵活性。
IPBE65R075CFD7AATMA1的产品属性
晶体管类型: N-沟道
技术: MOSFET (金属氧化物)
漏极至源极电压(Vdss): 650 V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C: 32A (Tc)
驱动电压(最大Rds开启,最小Rds开启): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id: 4.5V @ 820µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 68 nC @ 10 V
Vgs(最大): ±20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds: 3288 pF @ 400 V
功率耗散(最大): 171W (Tc)
操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-T263-7-3-10
封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6条引线+接片),TO-263CB
IPBE65R075CFD7AATMA1的特点
高质量和可靠性
100%雪崩测试
增加了封装的爬电距离
电池电压高达475V而不影响可靠性标准
硬开关和软开关拓扑结构的效率提高达98.4%。
固有的快速体二极管Qrr比CoolMOS™ CFDA低30%。
晶体管 IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7 汽车级 MOSFET 晶体管 650V
型号
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描述
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