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Cypress Semiconductor Excelon™铁电RAM (F-RAM) 是下一代F-RAM，设有低功耗、任务关键型非易失性存储器。Excelon系列将超低功耗运行与高速接口、即时非易失性和无限读/写周期耐久性相结合。这使得Excelon成为便携式医疗、可穿戴、物联网传感器、工业和汽车应用的理想数据记录存储器。有三个不同Excelon系列可供选择：Excelon-LP、Excelon-Ultra和Excelon-Auto。

特性

Excelon F-RAM特性

典型待机电流和休眠电流分别为1μA和0.1μA，仅为当前F-RAM的1/150

与竞争性产品SPI F-RAM相比，由于添加了108MHz QSPI，因此性能提升了10倍以上

具有NoDelay™写入功能，可在无需吸入时间的情况下立即捕获数据，且无需任何额外元件即可进行电源备份

2Mbit、4Mbit和8Mbit密度选项

工作电压范围：1.71V至1.89V和1.80V至3.60V

商用（0°C至+70°C）、工业（-40°C至+85°C）、汽车A（-40°C至+85°C）和汽车E（-40°C至+125°C）温度等级

CY15B102QN-50LHXI产品属性

系列： Excelon™-LP,F-RAM™  

存储器类型： 非易失  

存储器格式： FRAM  

技术： FRAM（铁电体 RAM）  

存储容量： 2Mb  

存储器组织： 256K x 8  

存储器接口 ：SPI  

时钟频率： 50 MHz  

写周期时间 - 字，页： -  

访问时间： 8 ns  

电压 - 供电： 1.8V ~ 3.6V  

工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 8-WDFN 裸露焊盘  

供应商器件封装： 8-DFN（5x6）

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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