NT5AD512M16C4-HR 是一款由南亚科技(Nanya)生产的 DDR4 DRAM 存储器芯片,适用于 0 至 95°C 的工作温度范围。该内存容量为 8Gb,采用 512Mx16 结构,封装形式为符合 RoHS 标准的 BGA 96 球封装。该产品的数据速率为 2666 MT/s,对应最大时钟频率为 1333 MHz,最小时钟周期时间为 0.75 ns。
核心特性——NT5AD512M16C4-HR
1. 高性能存储规格
存储容量:8Gb(512M × 16位)
存储技术:DDR4 SDRAM,提供比 DDR3 更高的数据传输速率
数据速率:起始 2133MT/s,最高可达 4266MT/s
2. 低功耗设计
工作电压:1.14V ~ 1.26V,相比 DDR3 降低约 20% 功耗
节能模式:支持自刷新(Self-Refresh)和部分阵列自刷新(PASR)
3. 高可靠性封装
封装:BGA-96(球栅阵列封装),适用于高密度 PCB 布局
工作温度:0°C ~ 95°C(TC),满足工业级应用需求
应用领域——NT5AD512M16C4-HR
服务器 & 数据中心:高速缓存、内存扩展
汽车电子:车载信息娱乐系统、ADAS
消费电子:智能电视、游戏机、笔记本电脑
工业控制:工控机、嵌入式系统
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南亚科技(Nanya Technology Corporation)成立于 1995年3月4日,总部位于中国台湾新北市泰山区的南林科学园区,是台塑集团(Formosa Plastics Group) 旗下专注于 DRAM(动态随机存取存储器) 研发、设计、制造与销售的高科技半导体企业。核心业务DRAM 产品:主要生产 D…
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