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产品分类

AI 处理器

AI 加速器

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:MSC40SM120JCU3

商品名称:MSC40SM120JCU3

数据手册:MSC40SM120JCU3.pdf

品牌:Microchip

年份:23+

封装:SOT-227

货期:全新原装

库存数量:1685

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技术参数

制造商
Microchip
型号
MSC40SM120JCU3
封装
SOT-227
描述
N-通道 1200 V 55A (Tc) 245W (Tc) 底座安装

产品描述

N通道MSC40SM120JCU3汽车IGBT模块1200V SiC MOSFET电源模块


产品介绍

MSC40SM120JCU3是一款1200V、55A的全碳化硅降压斩波器SiC MOSFET电源模块。


规格

晶体管类型:N-沟道

技术:SiCFET(碳化硅)

漏极至源极电压(Vdss):1200 V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25°C:55A (Tc)

驱动电压(最大Rds On,最小Rds On):20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs:50mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th)(最大值)@ Id:2.7V @ 1mA

栅极电荷(Qg)(最大值)@ Vgs:137 nC @ 20 V

Vgs(最大):+25V,-10V

输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds:1990 pF @ 1000 V

功率耗散(最大):245W(Tc)。

工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)


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型号

品牌

封装

数量

描述

NTHL032N065M3S

ON

TO-247-3

3000

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

NTH4L032N065M3S

ON

TO-247-4

3000

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

NTBG032N065M3S

ON

D2PAK-7

3000

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L

NVBG032N065M3S

ON

D2PAK-7

3000

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L

MSC180SMA120SDT

Microchip

TO-263-7

3000

1200V, 180 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

MSC060SMA070SDT

Microchip

TO-263-7

3000

700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

MSC360SMA120SCT

Microchip

PSMT-16

3000

1200V,360 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

MSC080SMA120SCT

Microchip

PSMT-16

3000

1200V,80 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

MSC090SMA070SCT

Microchip

PSMT-16

3000

700V,90 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

MSC060SMA070SCT

Microchip

PSMT-16

3000

700V,60 mΩ 碳化硅(SiC)N 沟道 MOSFET

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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Microchip

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Microchip Technology Incorporated(纳斯达克股市代号:MCHP)美国微芯半导体是全球领先的单片机和模拟半导体供应商,为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的产品上市时间。Microchip公司自成立以来,就密切关注嵌入控制半导体产品市…

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