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H5WRAGESM8W-N8L

类型：DRAM

密度：16Gb

KGSD密度：128Gb

速度：3.6Gbps

封装：8Hi

组织：x1024

电压：1.2V

特点

• 使用硅通孔(TSV)的垂直堆叠DRAM芯片提供460GB/s带宽的高带宽内存

• 针对深度学习加速器和人工智能系统优化的优质内存解决方案

概述：

SK hynix 的 1ynm 16Gb HBM2E 是业界最快的内存，I/O 速度达到 3.6Gbps，每秒可使用 1,024 个 I/O 处理 460GB 的数据。与之前的 HBM2 相比，新型 HBM2E 的散热性能提高了 36%，是一款真正高效的内存，可为您的系统提供强劲的性能。

散热改进

SK hynix的 HBM2E 比 HBM2 的散热性能提高了 36%，在相同的工作条件下，平均散热温度降低了 14 摄氏度。

高达 9 倍的带宽，2 倍于一代的容量提升

与 DDR5 的 2.4GB/s 带宽和 GDDR6 的 64GB/s 带宽相比，HBM2E 的性能最多可提高 9 倍，每秒可处理 460GB 的数据。与 HBM2 的 8GB 核心芯片密度相比，HBM2E 通过组合 8 个 16GB DRAM 芯片实现了 16GB 解决方案，密度比上一代 HBM2 提高了一倍。

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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  答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。

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