TW140Z120C是一款采用TO-247-4封装形式的20A、1200V第三代碳化硅MOSFET,设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。
TW140Z120C的规格
FET 类型:N 通道
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):191 毫欧 @ 10A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):24 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+25V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):691 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):107W(Tc)
工作温度:175°C
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4L(X)
封装/外壳:TO-247-4
型号
品牌
封装
数量
描述
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TW060Z120C
TW060Z120C 是一款采用TO-247-4封装形式的36A、1200V第三代碳化硅MOSFET。规格FET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):82 毫欧 @ 18A,1…TW045Z120C
TW045Z120C —— 40A、1200V第三代碳化硅MOSFETFET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):62 毫欧 @ 20A,18V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)…TW015Z120C
TW015Z120C是一款100A、1200V第三代碳化硅MOSFET器件,设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW015Z120C(参数)FET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):1200 V25C 时电流…TW015Z65C
TW015Z65C是一款100A、650V第三代碳化硅MOSFET,具有高电压、更快开关和更低的导通电阻。该MOSFET设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW015Z65C(参数)FET 类型:N 通道技术…TW027Z65C
TW027Z65C器件是一款58A、650V第三代碳化硅MOSFET,具有高电压、更快开关和更低的导通电阻。该MOSFET设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW027Z65C(参数)FET 类型:N 通道…TW107Z65C
TW107Z65C器件是一款20A、650V第三代碳化硅MOSFET,设计用于大功率工业应用,例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。TW107Z65C(参数)FET 类型:N 通道技术:SiC漏源电压(Vdss):650 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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