TW015Z65C - 碳化硅 (SiC) MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：TW015Z65C

商品名称：碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌：TOSHIBA

年份：24+

封装：TO-247-4

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

制造商

TOSHIBA

型号

TW015Z65C

封装

TO-247-4

描述

SiC MOSFET 通孔 N 通道 650 V 100A（Tc） 342W（Tc） TO-247-4L（X）

TW015Z65C是一款100A、650V第三代碳化硅MOSFET，具有高电压、更快开关和更低的导通电阻。该MOSFET设计用于大功率工业应用，例如400V和800V交流输入交流-直流电源、光伏(PV) 逆变器以及用于不间断电源 (UPS) 的双向直流-直流转换器。

TW015Z65C（参数）

FET 类型：N 通道

技术：SiC

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22 毫欧 @ 50A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 11.7mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：128 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4850 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：342W（Tc）

工作温度：175°C

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L（X）

封装/外壳：TO-247-4

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答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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