GD150HFX170C1S - 1700V 150A 半桥 IGBT 功率模块
GD150HFX170C1S 的一般说明
GD150HFX170C1S 是 IGBT 功率模块,具有超低传导损耗和短路耐用性。它们专为通用逆变器和 UPS 等应用而设计。
GD150HFX170C1S 的特点
低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术
10μs 短路能力
正温度系数 VCE(sat)
最高结温 175℃
低电感外壳
快速和软反向恢复反并联 FWD
采用 DBC 技术的隔离铜基板
GD150HFX170C1S 的典型应用
用于电机驱动的变频器
交直流伺服驱动放大器
不间断电源
型号
品牌
封装
数量
描述
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斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务,是目前国内功率半导体器件领域的领军企业。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、重庆、浙江和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲德国和瑞士设有研发中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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ID50FFX60U3S - 600V,50A 紧凑型 - IPM 模块,U3封装ID50FFX60U3S- 产品规格:型号:ID50FFX60U3S(紧凑型 - IPM 模块)封装:U3额定电压:600V额定电流:50A导通压降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.70V芯片类型:Trench-FS Gen1电路结构:Sixpack/六单元ID50FFX60U3S - 产品…电话咨询:86-755-83294757
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