ID10FFX60U5SS - 600V,10A 紧凑型 - IPM 模块,采用最新的沟槽式 IGBT 技术,实现了良好的总体损耗权衡。
型号:ID10FFX60U5SS(紧凑型 - IPM 模块)
封装:U5
额定电压:600V
额定电流:10A
芯片类型:Trench-FS Gen1
电路结构:Sixpack/六单元
ID10FFX60U5SS - 引脚配置:
ID10FFX60U5SS - 产品特点:
通过 UL 1557 认证。
采用最新的沟槽式 IGBT 技术,实现了良好的总体损耗权衡。
N 端开放式发射器,用于低成本电流检测应用。
匹配传播延迟,防止臂击穿。
内置自举二极管和限流电阻。
提供故障信号(FO 引脚),并在发生 S.C. 和欠压故障时关闭内部 IGBT。
通过模拟信号提供温度输出。
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斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务,是目前国内功率半导体器件领域的领军企业。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、重庆、浙江和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲德国和瑞士设有研发中心。2020年…
ID05FFX60U5SS
ID05FFX60U5SS - 600V,5A 紧凑型 - IPM 模块,U5封装型号:ID05FFX60U5SS(紧凑型 - IPM 模块)封装:U5额定电流:5A芯片类型:Trench-FS Gen1额定电压:600V电路结构:Sixpack/六单元ID05FFX60U5SS - 产品特点:通过 UL 1557 认证。采用最新的沟槽式 IGBT 技术,实现了…DG75H12T2
DG75H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的传导损耗和开关损耗。它们专为通用逆变器和 UPS 等应用而设计。DG75H12T2 的特点低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术开关损耗低最高结温 175℃正温度系数 VCE(sat)快速和软反向恢复反并联 FWDDG75H12T2 的典型应用太阳能电子焊机不…DG50H12T2
DG50H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的传导损耗和开关损耗。它们专为通用逆变器和 UPS 等应用而设计。DG50H12T2 的特点低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术开关损耗低最高结温 175℃正温度系数 VCE(sat)快速和软反向恢复反并联 FWDDG50H12T2 的典型应用用于电机驱动的逆…DG40H12T2
DG40H12T2 是 IGBT 功率分立器件,具有超低的传导损耗和开关损耗。它们专为通用逆变器和 UPS 等应用而设计。DG40H12T2 的特点低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术开关损耗低最高结温 175℃正温度系数 VCE(sat)快速和软反向恢复反并联 FWDDG40H12T2 的典型应用太阳能电子焊机不…ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V,50A 紧凑型 - IPM 模块,U3封装ID50FFX60U3S- 产品规格:型号:ID50FFX60U3S(紧凑型 - IPM 模块)封装:U3额定电压:600V额定电流:50A导通压降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.70V芯片类型:Trench-FS Gen1电路结构:Sixpack/六单元ID50FFX60U3S - 产品…ID40FFX60U3S
ID40FFX60U3S - 600V,40A 六单元 IPM 模块,U3封装型号:ID40FFX60U3S(紧凑型 - IPM 模块)封装:U3额定电压:600V额定电流:40A芯片类型:Trench-FS Gen1电路结构:Sixpack/六单元导通压降 VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.60VID40FFX60U3S - 引脚配置(俯视图):ID40FFX60…电话咨询:86-755-83294757
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