GD450HFX170C6SA(C6.1 封装)- 1700V/450A 半桥 IGBT 模块
型号:GD450HFX170C6SA
封装:C6.1
额定电流:450A
芯片类型:Trench-FS Gen1
额定电压:1700V
电路结构:Half Bridge/半桥
特征:平板基板
导通压降VCE(sat) Tvj=25℃ typ: 1.85V
描述:STARPOWER IGBT 功率模块具有超低传导损耗和短路耐用性。它们专为通用逆变器和 UPS 等应用而设计。
GD450HFX170C6SA - 产品特性:
低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术
10μs 短路能力
正温度系数 VCE(sat)
最高结温 175℃
低电感外壳
快速和软反向恢复反并联 FWD
采用 DBC 技术的隔离铜基板
GD450HFX170C6SA - 等效电路示意图:
型号
品牌
封装
数量
描述
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斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月,专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务,是目前国内功率半导体器件领域的领军企业。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、重庆、浙江和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲德国和瑞士设有研发中心。2020年…
GD600HFX120C6SA
IGBT 模块:GD600HFX120C6SA(1200V/600A)- 具有超低传导损耗和短路耐用性型号:GD600HFX120C6SA封装:C6.1额定电流:600A芯片类型:Trench-FS Gen1额定电压:1200V最高结温:175℃电路结构:Half Bridge/半桥特征:平板基板导通压降VCE(sat) Tvj=25℃ typ: 1.7V描述:S…GD600HFX120C6S
STARPOWER IGBT 功率模块具有超低传导损耗和短路耐用性。它们专为混合动力和电动汽车等应用而设计。GD600HFX120C6S:1200V/600A 半桥 IGBT 模块,C6.1 封装型号:GD600HFX120C6S封装:C6.1额定电流:600A芯片类型:Trench-FS Gen1额定电压:1200V导通压降VCE(sat) Tvj=25…GD400FFX75P3S
GD400FFX75P3S - 750V 400A IGBT 功率模块GD400FFX75P3S 的一般说明GD400FFX75P3S 是 IGBT 功率模块,具有超低传导损耗和短路耐用性。它们专为混合动力和电动汽车等应用而设计。GD400FFX75P3S 的特点低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术6μs 短路能力正温度系数 VCE(sat)最高…GD400FFX75P3H
GD400FFX75P3H - 750V 400A IGBT 功率模块GD400FFX75P3H 的一般说明GD400FFX75P3H 是 IGBT 功率模块,具有超低传导损耗和短路耐用性。它们专为混合动力和电动汽车等应用而设计。GD400FFX75P3H 的特点低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术6μs 短路能力正温度系数 VCE(sat)最高…GD400FFX65P3S
GD400FFX65P3S - 650V 400A IGBT 功率模块GD400FFX65P3S 的一般说明GD400FFX65P3S 是 IGBT 功率模块,具有超低传导损耗和短路耐用性。它们专为混合动力和电动汽车等应用而设计。GD400FFX65P3S 的特点低 VCE(饱和)沟槽式 IGBT 技术6μs 短路能力正温度系数 VCE(sat)最高…GD450HFX120C6SA
1200V/450A 半桥 IGBT 模块:GD450HFX120C6SA - 具有超低传导损耗和短路耐用性。它们专为混合动力和电动汽车等应用而设计。型号:GD450HFX120C6SA封装:C6.1额定电流:450A芯片类型:Trench-FS Gen1额定电压:1200V电路结构:Half Bridge/半桥特征:平板基板导通压降VCE(…电话咨询:86-755-83294757
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