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产品分类

嵌入式和网络处理器

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商品型号:UJ3C120080K3S

商品名称:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Qorvo

年份:24+

封装:TO-247-3

货期:全新原装

库存数量:3000

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技术参数

制造商
Qorvo
型号
UJ3C120080K3S
封装
TO-247-3
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 33A(Tc) 254.2W(Tc) TO-247-3

产品描述

UJ3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET器件基于独特的级联配置,并针对软开关设计进行了优化。UJ3C SiC FET非常适合用于升级现有基于硅的器件或启动基于SiC的新设计。


UJ3C120080K3S的规格:

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:14 ns

Id-连续漏极电流:33 A

最大工作温度:+ 175°C

最小工作温度:- 55°C

安装风格:Through Hole

通道数量:1 Channel

封装 / 箱体:TO-247-3

封装:Tube

Pd-功率耗散:254.2 W

产品类型:SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷:51 nC

资格:AEC-Q101

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

上升时间:14 ns

系列:UJ3C

工厂包装数量:600

子类别:Transistors

技术:SiC

商标名:SiC FET

晶体管极性:N-Channel

典型关闭延迟时间:61 ns

典型接通延迟时间:22 ns

Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

单位重量:6 g


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Qorvo总部位于美国北卡罗来纳州,汇聚30余年的设计经验,全球拥有近8,000名员工。Qorvo在中国具有两大生产基地,位于北京市和山东省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦庄经济技术开发区, 现有员工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山东省德…

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